SRAM と DRAM の違い
速いが小容量か、大容量だが再充電が必要か

SRAM とは

SRAM（Static RAM）は、フリップフロップ回路でできた揮発性メモリです。一度書き込むと、電源が切れない限り記憶を保ち続けるので、リフレッシュは要りません。読み書きが非常に高速です。

その一方で、1ビットあたりのトランジスタ数が多く回路が複雑になるため、集積度を高くできません。

DRAM とは

DRAM（Dynamic RAM）は、コンデンサとトランジスタでできた揮発性メモリです。構造が単純なので高集積化ができ、大容量にしやすいのが特長です。

コンデンサに電荷をためて記憶するため、電荷を保つための定期的なリフレッシュ（再充電）が必要です。電源を切ると記憶が消える揮発性で、主記憶用のメモリとして使われます。

違いを表で比べる

試験での問われ方

モバイルシステム技術検定2級では、第6章「モバイル端末・機器のハードウェア技術」で出ます。もちこ道場の第6章の問題では、次のような問われ方をしています。

• 穴埋め: 「揮発性メモリで、一度書き込めば電源が切れるまで記憶を保ち、非常に高速だが、集積度を高くできない」の空欄に SRAM を選ぶ。選択肢には DRAM・EEPROM・フラッシュメモリが並びます。
• 組み合わせ: 「一度書き込むと記憶を維持し非常に高速だが集積度を高くできない」と「コンデンサとトランジスタで構成され、定期的なリフレッシュが必要」に、SRAM と DRAM を正しい順で入れる。
• 記述を選ぶ: 「DRAM は電源を切っても記憶を保持する不揮発性メモリ」「SRAM は定期的なリフレッシュが必要で、大容量メインメモリとして普及している」のように、SRAM と DRAM の特長の入れ替えや、揮発性・不揮発性の取り違えを見抜く。

覚え方

• S は Static（静的＝そのまま保つ）、D は Dynamic（動的＝再充電し続ける）。リフレッシュが要るのは D の DRAM、要らないのは S の SRAM です。
• 「速さ重視」は SRAM、「容量重視」は DRAM。高集積・大容量・コンデンサが出たら DRAM、非常に高速・集積度を上げにくいが出たら SRAM です。
• どちらも揮発性です。「DRAM は不揮発性」「フラッシュメモリは RAM の一種」といった記述は誤りです。

第6章のほかの用語は「第6章 モバイル端末・機器のハードウェア技術の要点」にまとめています。